MOS管的特性、工作原理,与真空电子管类似:栅极没有电流,即没有输入电流,具有高输入阻抗;漏极电流由栅极电压控制,是电压控制器件。半导体三极管是两个P-N结组成,由基极电流来控制集电极电流,是一个电流控制器件;基极输入的是电流,输入阻抗低,需要输入功率。工作性质:1、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。3、功耗问题:三极管损耗大。4、驱动能力:mos管常用 展开
MOS管的特性、工作原理,与真空电子管类似:栅极没有电流,即没有输入电流,具有高输入阻抗;漏极电流由栅极电压控制,是电压控制器件。半导体三极管是两个P-N结组成,由基极电流来控制集电极电流,是一个电流控制器件;基极输入的是电流,输入阻抗低,需要输入功率。工作性质:1、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。3、功耗问题:三极管损耗大。4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。 收起
